長江存儲據報計劃擴產DRAM晶片 開發生產HBM所需晶片封裝技術
《路透》引述消息報道,中國記憶體生產商長江存儲計劃擴大生產動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片,包括用於人工智能晶片的先進版本。消息指公司正開發「硅穿孔」(TSV)先進晶片封裝技術,該技術推疊DRAM以生產高頻寬記憶體(HBM)晶片,同業長鑫存儲已開發HBM晶片。消息亦指,長江存儲考慮調配在建設中的武漢廠房內部分新設備生產DRAM晶片。
據企業登記數據商《企查查》,長江存儲早前成立新公司,在武漢興建第三間晶片廠,註冊資本基礎207億元人民幣。
全球目前主要由3間公司生產HBM,包括美光(MU.US)、南韓SK海力士及南韓三星電子。
關注uSMART

重要提示及免責聲明
盈立證券有限公司(「盈立」)在撰冩這篇文章時是基於盈立的內部研究和公開第三方信息來源。儘管盈立在準備這篇文章時已經盡力確保內容為準確,但盈立不保證文章信息的準確性、及時性或完整性,並對本文中的任何觀點不承擔責任。觀點、預測和估計反映了盈立在文章發佈日期的評估,並可能發生變化。盈立無義務通知您或任何人有關任何此類變化。您必須對本文中涉及的任何事項做出獨立分析及判斷。盈立及盈立的董事、高級人員、僱員或代理人將不對任何人因依賴本文中的任何陳述或文章內容中的任何遺漏而遭受的任何損失或損害承擔責任。文章內容只供參考,並不構成任何證券、虛擬資產、金融產品或工具的要約、招攬、建議、意見或保證。監管機構可能會限制與虛擬資產相關的交易所買賣基金僅限符合特定資格要求的投資者進行交易。文章內容當中任何計算部分/圖片僅作舉例說明用途。
投資涉及風險,證券的價值和收益可能會上升或下降。往績數字並非預測未來表現的指標。請審慎考慮個人風險承受能力,如有需要請諮詢獨立專業意見。