存儲芯片在各類應用場景幾乎不可或缺，更是伴隨AI應用爆發需要升級迭代的硬件基礎，“內存牆”的桎梏，讓三星電子、美光、SK 海力士等吃到第一波豐盛的果實。

但今年以來，隨着國產大模型DeepSeek在應用端的高歌猛進，A股算力、機器人、半導體等科技主題概念集體爆發，存儲芯片這一細分領域也不例外。

以存儲概念爲例，板塊自1月7日開始企穩反彈，目前累計漲幅已超30%。

然而，供不應求的只有企業級存儲市場，消費級市場芯片價格處於跌勢當中，整體拖累了存儲芯片市場的復甦。 

現如今，曙光終於迎來。

01

算力需求轉移：從訓練到推理

前不久，阿里宣佈未來三年雲和AI基建投入預計超過去10年總和，到近期多家A股公司公佈算力訂單，驗證AI基建需求大趨勢。

在以阿里爲首的國內雲廠商資本開支增加的推動下，AI應用落地有望加速，AI商業模型有望閉環。

而存力作爲貫通上遊算力設施和下遊終端設備的重要部分，在AI基建浪潮的下半場也同樣應該得到重視。

當前，用於AI訓練和推理的數據中心對HBM（高帶寬內存）和SSD（固態硬盤）的需求旺盛。

HBM由多個DRAM顆粒堆疊而成，是高性能AI芯片的剛需，而SSD則由NAND Flash顆粒（一種非易失性存儲介質，下稱閃存）製成，用於存儲大量數據，兩種顆粒佔據了高性能存儲芯片市場。

這類高性能存儲芯片在性能上滿足了現代數據中心對高效能、低延遲的需求。一方面需要HBM（高帶寬內存）將數據快速交給處理器運算，另一方面又需要大容量SSD（固態硬盤）存儲大量數據。

並且，隨着數據量和算力的提升，存儲芯片的價值增量更大。

根據行業測算，單臺通用服務器用內存DRAM+硬盤NAND合計價值量在5000美元左右，AI服務器（不考慮HBM）價值量則預計超過10000美元。去年頭部存儲芯片企業便吃到了紅利。

受益於作爲英偉達的主要供應商，高帶寬內存（HBM）銷售強勁，韓國SK海力士四季度收入和運營利潤雙雙創歷史新高，當季利潤首次超越“老大哥”三星。

公司全年實現“歷史最佳年度業績”，總營收實現66.19萬億韓元，淨利潤率爲30%。

在業績指引方面，公司還表示2025年HBM的銷售額還會再翻一倍，計劃擴大HBM3E供應，並適時開發HBM4以滿足客戶需求。

去年下半年以來，隨着豆包、DeepSeek國產大模型應用的成功出圈，國產AI產業鏈預期將引來需求推動的新一輪基建投入。

再深入細化，算力需求並非主要依靠強調先進算力的模型訓練側支撐，也就是要用上最爲先進的AI芯片，而是遵循“傑文斯悖論”的神奇規律，未來推理端需求的增長將大幅促進AI芯片的用量。

雖然，美國一系列制裁有意限制國產AI算力發展，譬如只提供閹割版的英偉達。這種情況下，國產AI芯片作爲國產算力基建的底座，積極去適配DeepSeek大模型應用，反而會加強協同上下遊互相支持，帶動整個市場快速成長。

近幾年，合肥長鑫、長江存儲等企業奮起直追，帶領國內存儲產業鏈重複中國電動汽車的故事。

國內企業正加大對技術研發的投入，特別是在高密度存儲技術、低功耗技術以及存算一體融合上，取得了重要進展。

據Techpowerup報道，雖然在製程上與三星美光等廠商仍有差距，但長鑫存儲在DDR5芯片生產的良品率上取得重大進展，已達到約80%，與最初量產時的50%相比有了大幅度的提升。

並且，據稱，目前全球最先進的HBM開發到了HBM3e，長鑫存儲已經在HBM2上取得了進展，正在進行客戶取樣，預計2025年中期開始小批量生產。

而長江存儲率先將名爲“晶棧（Xtacking）架構”的混合鍵合技術應用於3D NAND閃存並不斷迭代。目前已經正式上市開售的新款致態TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已經確認搭載該款新架構閃存。

據外媒消息表明，三星有望從其第10代NAND開始採用長江存儲的專利混合鍵合技術，成爲了國產存儲的里程碑時刻。

根據IT之家報道，市場調研機構 TrendForce 集邦諮詢表示，2024年四季度全球DRAM內存產業實現 280 億美元營收，較一年前的行業低谷期則錄得63.8%增長；全球NAND Flash市場規模達174.1億美元，同比增長 42.4%。

看似強勁的反彈跡象下，不同存儲市場產品結構和庫存水平依然存在不平衡的問題。

不過隨着下遊市場需求回暖，新的AI硬件放量，供給端芯片廠商主動減產，或戰略性調整產品結構，退出低附加值芯片並轉向高附加值存儲芯片，給予庫存更快的調整動力。

02

復甦已經啓動？

在去年這輪“潑天富貴”之前，存儲芯片行業此前經過了很長時間的低谷期。

早在疫情剛開始的2020年，由於全球性的芯片短缺，讓很多廠商對疫情和局勢產生了錯判，囤積了大量的芯片。最終結果就是導致供大於求，存儲芯片成爲了廠商巨大的庫存壓力，因此在2022年到2023年上半年間，存儲芯片價格一直處於低位。

於是頭部存儲芯片廠商帶頭通過削減資本開支、持續減產、提價清庫存等一系列“自救”措施後，存儲芯片的行情自2023年第三季度起開始回升。

但在去年三季度以後，存儲芯片價格趨勢在不同應用領域呈分化現象，企業級的強勁需求推動平均售價上漲近15%，而消費級訂單減少，價格出現下滑。

消費級存儲芯片的兩大下遊應用手機、筆記本電腦去年政策補貼，促銷後時隔兩年再次恢復增長，亦難以改變上遊存儲芯片供過於求的局面。

主流存儲器（DRAM和 NAND）價格自24年下半年開始下跌，消費類已據高點下調超20%，企業級存儲器也下調約10-20%。

除了存儲芯片需求不振以外，端側移動設備正在經歷着AI革命，如同企業級存儲產品需要迭代，算力和數據的加持實現了各種智能功能，而數據存放及高效讀寫需要更強大的存儲芯片爲其提供助力。

去年手機、電腦廠商用AI硬件打響了高端化設備的競爭，存儲芯片的容量、速度和能效成爲影響用戶使用體驗的一環，這類產品銷量佔比的提升，未來還將持續擠壓低端存儲芯片產品的需求，因此加快了庫存堆積。

另一方面，企業級存儲市場吃到飽的頭部芯片廠商，都有意願進行產品結構調整，部分DDR4與HBM產能轉向服務器DDR5，更加重去庫存壓力。

存儲原廠爲應對部分應用市場供應過剩已積極實施轉產和減產舉措，但目前整體上存儲

市場仍處於供需失衡狀態，而存儲價格也從2024年四季度起，除AI服務器外的應用市場外普遍走跌，行情的轉變逐漸傳導並反映國內外存儲品牌廠商的業績當中。

譬如三星電子表示，像DDR4和LPDDR4等傳統產品，2024年銷售額佔比已經30%以下，計劃2025年將大幅縮減至個位數；SK海力士的銷售比例里，去年四季度的HBM佔DRAM 總營收比例已經超過四成，預測今年HBM銷售將增加一倍。

因此，由於PC、智能手機一季度淡季可能不會有太好的表現，根據TrendForce，預測2025年第1季度NAND Flash平均合約價環比下降 10~15%；DRAM合約價環比下降 8~13%。

不過，持續低迷的價格到了二季度，應該會變得好一些。每當存儲芯片價格跌到低谷，減產、清庫存、提價就會慢慢提上日程。

根據科創板日報援引 TechPowerup 報道，三星、SK 海力士、鎧俠、美光均已開始研究 NAND 閃存減產計劃，從而緩解供需失衡並穩定價格，預計相關廠商計劃會按照市場實際情況分階段進行。

就在週五，存儲產品供應商閃迪（SanDisk）發予客戶的漲價函披露，將於今年4月1日開始實施漲價，漲幅將超10%，該舉措適用於所有面向渠道和消費類產品。不僅如此，閃迪還預告將繼續進行頻繁的定價審查，預計在接下來的季度還會有額外的漲幅。

國內幾家專門存儲芯片模組的上市公司中，包括江波龍、德明利、佰維存儲等出於消息面上漲，其中德明利一度漲停。對於對國內存儲模組廠商而言，漲價預計將會迅速跟進，由於市場非常透明，傳導速度會很快。

此前機構預計，今年下半年消費類存儲價格年中或將迎來反彈，企業級存儲價格將保持穩定。Trendforce集邦諮詢預計2025年三季度、四季度 NAND整體價格將環比增長10%-15%、8%-13%。

03

尾聲

和算力需求轉移一塊，國產替代作爲AI基建下半場的另一條主旋律，推動了今年半導體板塊估值的繼續提升，主要環節服務器CPU\GPU、算力PCB等迅速錄得巨大漲幅，股價甚至屢創新高。

而國內領先的存儲芯片廠商，譬如兆易創新、北京君正，在下半年存儲芯片價格下跌的情況下，相較此前市值跌勢，股價纔剛剛走出低點。

隨着廠商減產、去庫存作用逐漸顯現，低價資源供應緊俏將有助於減緩市場競價出貨，進而減少低價產品供應並擡高價格底線，加速供需關係走向平衡。

至於AI硬件，是更長線的故事。無論是芯片廠商還是模組廠商，有望憑藉技術升級抓住這波機遇。(全文完）