据《证券时报》报道，中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技，近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现12英吋碳化硅晶圆的剥离。该突破标志著内地在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步，为全球碳化硅产业的降本增效提供全新解决方案。 此次技术突破对碳化硅产业发展具有多重意义，包括大幅降低生产成本，其中，12英吋碳化硅晶圆相比目前主流的6英吋晶圆，可用面积提升约四倍，单位芯片成本降低30%至40%。同时提升产业供给能力，解决大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，为全球碳化硅产能扩张提供设备保障。 此外，技术突破加速国产化替代进程，打破国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，为内地半导体装备自主可控提供重要支撑。而成本降低将加速碳化硅器件在新能源汽车及可再生能源等领域的应用。