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彤程新材(603650.SH):光刻膠項目目前已逐步進入試生產階段
格隆匯 11-05 15:53

格隆匯11月5日丨彤程新材(603650.SH)公佈,日前公司決定通過全資子公司上海彤程電子材料有限公司(以下簡稱“彤程電子”)在上海化學工業區投資建設年產1.1萬噸半導體、平板顯示用光刻膠及2萬噸相關配套試劑項目。該項目工程階段已竣工,目前已逐步進入試生產階段。公司上海化學工業區工廠佔地36200平方米,設計能力年產1千噸半導體光刻膠、1萬噸顯示用光刻膠和2萬噸高純EBR試劑(光刻膠去邊劑)。同時在國際國內半導體廠商及光刻膠廠商戰略合作推動下,完成了產線優化及品控升級。具體情況如下:

公司上海化學工業區工廠年產1千噸半導體光刻膠量產產線,主要包括年產300/400噸ArF及KrF光刻膠量產產線,通過採用超高純PFA(塗層)設備、引入高精度物料流量控制系統、配以自研的高精度高效率光刻過濾系統,可以實現ppt級金屬雜質及0.1um級別的顆粒管控,具備不同配方先進製程光刻膠的生產能力。

在ArF光刻膠產品方面,公司已經完成ArF光刻膠部分型號的開發,首批ArF光刻膠的各項出貨指標能對標國際光刻膠大廠產品,已具備量產能力,目前處於量產前的光刻工藝測試及產品驗證階段,能否驗證通過尚存在一定的不確定性。產能可同時供應國內大部分芯片製造商,能較好地滿足國內先進製程光刻膠的部分需求。

目前,公司G線光刻膠已經佔據國內較大的市場份額;I線光刻膠已廣泛應用於國內6"、8"、12"集成電路產線,支持的工藝製程涵蓋14nm及以上工藝。KrF光刻膠量產品種達20種以上,穩定供應國內頭部芯片製造商。

為了解決ArF光刻膠所需的高純溶劑及國內先進工藝製程的需求,公司已經搭建完成高純EBR裝置,成為國內首家建有高純EBR精餾塔設備及掌握高純精餾技術的本土溶劑供應商。公司生產的EBR溶劑已達到G4等級規格,可滿足國內40納米以下工藝製程的芯片製造技術需求,年產2萬噸的規模量產能力可有效滿足國內先進製程需求。預計第四季度將完成高純度G5等級EBR的驗證,已在國內幾家先進芯片製造商中逐步推動產品驗證。

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