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打入谷歌AI硬體體系,英諾賽科站穩第三代半導體核心賽道
uSMART 02-04 15:32

2 月 4 日,港股英諾賽科(02577.HK)股價早盤顯著走強,一度沖高至 59.80 港元,盤中最高漲幅超過 11%。截至 14:42,英諾賽科報 55.40 港元/股,上漲 2.97%,成交額約 8.52 億港元,交投顯著放大,市場關注度持續升溫。

(圖源:uSMART HK app)

 

正式導入谷歌供應鏈,商業化進程取得實質進展

消息面上,英諾賽科日前公告稱,公司相關氮化鎵(GaN)功率器件產品,已完成在谷歌 AI 硬體平台中的重要設計導入,並簽署了合規供貨協議。該進展意味著,公司產品正式進入全球科技巨頭的 AI 硬體供應鏈體系,商業化落地邁出實質性一步。

公告顯示,圍繞現有專案推進情況,公司後續將重點聚焦 AI 伺服器與數據中心等高增長應用場景,在合規框架下推進產品量產與交付,並與產業鏈上下游協同,滿足快速增長的算力需求。

 

繼英偉達之後再獲認可,行業地位持續強化

此次與谷歌的合作,並非英諾賽科首次進入頂級科技公司體系。此前,公司已宣佈與英偉達展開戰略合作,為 800V DC 電源架構提供全 GaN 解決方案,服務於新一代 GPU 平台的算力與能效升級需求。

在 AI 算力產業鏈中,電源與功率器件直接影響伺服器效率、能耗水準及系統穩定性。連續獲得英偉達與谷歌的技術導入與合作確認,在一定程度上反映出英諾賽科在產品性能、可靠性及規模化交付能力上的綜合優勢,其在氮化鎵功率半導體領域的領先地位正逐步夯實。

 

算力能耗瓶頸凸顯,GaN成為關鍵解法之一

隨著 AI 大模型訓練與推理需求激增,數據中心能耗問題日益突出。傳統矽基功率器件在效率提升方面已接近物理極限,難以支撐算力持續擴張背景下的能源約束。第三代半導體材料氮化鎵,憑藉更高的擊穿電場、更快的電子遷移速度及更低的開關損耗,可在更小體積下實現更高功率密度與能效表現,有助於降低數據中心 PUE、改善散熱條件,並提升整體系統可靠性,正成為 AI 電源架構升級的重要方向。

英諾賽科作為第三代半導體領域的重要參與者,已建立起 8 英寸矽基氮化鎵晶圓的量產能力,產品覆蓋 15V 至 1200V 的寬電壓區間,與 AI 伺服器、數據中心電源系統的技術需求高度契合。

 

多元應用場景打開長期成長空間

除 AI 算力外,電動汽車、光伏儲能、人形機器人等領域的快速發展,也正在推動高效功率器件需求持續上行。隨著系統對高效率、高功率密度和小型化的要求不斷提高,氮化鎵器件的應用邊界有望進一步拓展。

從公司層面看,管理層與核心股東亦持續釋放長期看好信號。此前,公司控股股東成員作出自願禁售承諾,在一定程度上增強了市場對其長期發展戰略的信心。

 

如何在 uSMART 上購買英諾賽科

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(圖源:uSMART HK app)

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