2 月 4 日，港股英诺赛科（02577.HK）股价早盘显著走强，一度冲高至 59.80 港元，盘中最高涨幅超过 11%。截至 14:42，英诺赛科报 55.40 港元/股，上涨 2.97%，成交额约 8.52 亿港元，交投显著放大，市场关注度持续升温。

（图源：uSMART HK app）

正式导入谷歌供应链，商业化进程取得实质进展

消息面上，英诺赛科日前公告称，公司相关氮化镓（GaN）功率器件产品，已完成在谷歌 AI 硬件平台中的重要设计导入，并签署了合规供货协议。该进展意味着，公司产品正式进入全球科技巨头的 AI 硬件供应链体系，商业化落地迈出实质性一步。

公告显示，围绕现有项目推进情况，公司后续将重点聚焦 AI 服务器与数据中心等高增长应用场景，在合规框架下推进产品量产与交付，并与产业链上下游协同，满足快速增长的算力需求。

继英伟达之后再获认可，行业地位持续强化

此次与谷歌的合作，并非英诺赛科首次进入顶级科技公司体系。此前，公司已宣布与英伟达展开战略合作，为 800V DC 电源架构提供全 GaN 解决方案，服务于新一代 GPU 平台的算力与能效升级需求。

在 AI 算力产业链中，电源与功率器件直接影响服务器效率、能耗水平及系统稳定性。连续获得英伟达与谷歌的技术导入与合作确认，在一定程度上反映出英诺赛科在产品性能、可靠性及规模化交付能力上的综合优势，其在氮化镓功率半导体领域的领先地位正逐步夯实。

算力能耗瓶颈凸显，GaN成为关键解法之一

随着 AI 大模型训练与推理需求激增，数据中心能耗问题日益突出。传统硅基功率器件在效率提升方面已接近物理极限，难以支撑算力持续扩张背景下的能源约束。第三代半导体材料氮化镓，凭借更高的击穿电场、更快的电子迁移速度及更低的开关损耗，可在更小体积下实现更高功率密度与能效表现，有助于降低数据中心 PUE、改善散热条件，并提升整体系统可靠性，正成为 AI 电源架构升级的重要方向。

英诺赛科作为第三代半导体领域的重要参与者，已建立起 8 英寸硅基氮化镓晶圆的量产能力，产品覆盖 15V 至 1200V 的宽电压区间，与 AI 服务器、数据中心电源系统的技术需求高度契合。

多元应用场景打开长期成长空间

除 AI 算力外，电动汽车、光伏储能、人形机器人等领域的快速发展，也正在推动高效功率器件需求持续上行。随着系统对高效率、高功率密度和小型化的要求不断提高，氮化镓器件的应用边界有望进一步拓展。

从公司层面看，管理层与核心股东亦持续释放长期看好信号。此前，公司控股股东成员作出自愿禁售承诺，在一定程度上增强了市场对其长期发展战略的信心。

如何在 uSMART 上购买英诺赛科

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