來源：證券時報網

根據上交所及深交所的公告，氮化鎵龍頭企業英諾賽科(02577.HK)已納入港股通標的證券名單，並於2025年3月10日起生效。英諾賽科被納入港股通，標誌着其在全球半導體行業的領先地位得到了資本市場的高度認可，同時，有望吸引更多資金關注，幫助鞏固其氮化鎵產業鏈的核心地位。

上市以來，英諾賽科之所以備受矚目，源於其在半導體領域深厚且卓越的底蘊。它作爲全球範圍內開創性實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的先鋒企業，同時也是獨一無二能夠憑藉產業規模優勢，全方位覆蓋全電壓譜系硅基氮化鎵半導體產品供應的行業翹楚。英諾賽科憑藉其全球領先的市場地位和產能優勢，上市以來廣受資金關注。從市場數據來看，截至3月7日收盤，英諾賽科上市後累計上漲幅度超80%，總市值曾一度突破560億元。

隨着資本市場的全球化和互聯互通機制的不斷深化，港股通已成爲連接中國內地與香港市場的橋樑，爲內地和國際投資者提供了投資港股市場的便捷通道。此次"入通"標誌着英諾賽科在全球半導體行業的領先地位得到了資本市場的高度認可，更意味着公司將獲得更高的曝光度和知名度，更好地吸引海內外投資者的關注，從而進一步提升其在二級市場的流動性和估值水平。

氮化鎵產業呈指數級增長 英諾賽科IDM模式構築優勢護城河

氮化鎵作爲極具性能優勢的第三代半導體材料。近年來，隨着AI、電動汽車、機器人蓬勃興起，相比傳統硅材質，氮化鎵憑藉高頻、高能效、耐高壓、耐高溫等綜合優勢在功率半導體領域嶄露頭角。

據弗若斯特沙利文的數據，2023年氮化鎵功率半導體產業開啓了指數級增長的元年，預計市場將迅速增長。到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規模將達到人民幣501億元，佔全球功率半導體市場的10.1%，並在功率半導體分立器件市場中佔據24.9%的份額。

事實上，受擴產週期、創新週期等因素的疊加影響，半導體行業具有典型的週期性特點，通常每4—5年完成一輪週期波動。根據WSTS預測，全球半導體市場在經歷週期性低谷後，於2024年重新進入上升週期。

英諾賽科憑藉對傳統半導體產業模式的革新，全力構建IDM模式，實現了從芯片設計到可靠性測試的全流程自主掌控。公司率先建成全球首條8英寸硅基氮化鎵產線，打破了行業"設計—製造—封測"割裂的困境，推動氮化鎵芯片以高產能、高良率進入市場，爲公司發展奠定了堅實基礎。

截至2024年6月30日，英諾賽科蘇州、珠海兩大製造基地的總產能已達每月12500片晶圓，滿足了下遊市場的海量需求，爲功率電源客戶提供了穩定的供應鏈保障。同時，其超95%的製造良率有效降低了成本，提升了產品質量，使"英諾賽科"品牌在市場中贏得了良好口碑。此外，公司產品研發範圍覆蓋15V至1200V電壓範圍，廣泛應用於消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源等領域。以折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科產品出貨量份額高達42.4%，穩居全球首位。

技術創新引領市場變革 氮化鎵引領AI算力革命

英諾賽科在技術創新的道路上不斷取得突破。公司不僅在全球率先實現了從6英寸到8英寸工藝的技術跨越，還通過自主研發和改造製造設備，持續推動製造工藝的迭代升級。在產品端，英諾賽科依託強大的製造能力，快速響應客戶需求，推出了多款創新產品。例如，公司近期發佈的INN100EA035A，成爲全球首個實現大規模量產的100V級GaN解決方案，廣泛應用於AI服務器等領域，顯著提升了系統能效。

隨着AI算力、電動汽車和機器人等新興行業的爆發式增長，傳統功率半導體在高算力場景盡顯疲態，氮化鎵功率半導體卻憑藉高頻、低阻等優勢脫穎而出。根據弗若斯特沙利文的預測，全球氮化鎵功率半導體市場規模將在2028年達到501億元人民幣，佔全球功率半導體市場的10.1%。到2030年，這一市場規模有望突破100億美元。

英諾賽科憑藉在多領域的廣泛應用與技術優勢，已然在當下市場中嶄露頭角，市場前景一片光明。此次公司獲選納入港股通，也爲其未來發展注入了全新動力。