英唐智控(300131.SZ)與中天弘宇、中宇天智就擬後續在芯片相關領域業務開展達成合作意向
格隆匯 11 月 27日丨英唐智控(300131.SZ)公佈，公司(“甲方”)於2020年11月27日與中天弘宇集成電路有限責任公司(“中天弘宇”或“乙方”)、中宇天智集成電路(上海)有限公司(“中宇天智”或“丙方”)簽署了《合作協議書》。雙方就擬後續在芯片相關領域的業務開展達成合作意向，建立戰略合作伙伴關係。
公司擁有豐富的市場資源與系統的銷售網絡,現正在逐步轉型為半導體IDM企業，專注行業細分領域，模擬電路及模擬邏輯混合芯片的設計研發及製造。公司子公司日本英唐微技術有限公司擁有一支經驗豐富且穩定的研發和工藝團隊，人數超過130多人，平均從業經驗超過12年，在模擬電路設計領域具有深厚的技術積累。
傳統NOR閃存擁有讀取速度快、芯片內可執行代碼等優勢，但傳統結構的NOR閃存無法突破90nm柵極長度的技術瓶頸，導致NOR閃存的記憶單元面積無法降低到10F2以下，使其芯片成本居高不下，其應用場景往往被DRAM+NAND的組合模式所替代，中天弘宇的研發團隊在經過十多年的持續研究，完成了對傳統NOR閃存機理和結構創新，其擁有自主知識產權的新型閃存創新技術、發明及專利成果，已被中國電子學會組辦的專家委員會鑑定為：在不改變現有標準CMOS工藝的情況下突破閃存的縮微技術瓶頸，“在非易失存儲領域屬國際首創技術”。並且其擁有自主知識產權的獨立式存儲系列產品性能價格比優於市場上同類產品。
中宇天智在傳統嵌入式閃存基礎上，創新了工作機理和器件結構，擁有自主知識產權的嵌入式閃存IP，在全球嵌入式閃存尚未突破28nm的背景下，中宇天智的嵌入式閃存具備理論上可微縮到5nm的工藝製程的條件，並且性能價格比優於市場上同類IP。同屬世界首創技術。
三方的合作將以乙方、丙方的新型閃存技術在電源管理芯片的實際應用為突破口，該應用已在全球領先的90nmBCD(BiCMOS/CMOS)工藝平台上得到了驗證，驗證結果突破了目前市場上電源管理芯片130-180nm的主流工藝製程水平，90nmBCD工藝在電源管理芯片的應用屬於全球首創，擁有明顯的能耗和成本優勢，具有良好的產業化前景。根據賽迪顧問統計數據，2012-2018年，國內電源管理芯片市場規模從430.68億元增長至681.53億元，年複合增速達7.95%。根據前瞻產業研究院的統計和預測，全球電源管理芯片市場規模2018年為250億美元，預計到2026年全球市場規模將達到565億美元，2018-2026期間年複合增長率(CAGR)為10.69%，其中以中國大陸為主的亞太地區是未來最大增長區域市場。
甲、乙、丙的優勢資源可以實現良好的結合互補，加快新型閃存技術在電源管理芯片及其他相關產業的產業化進程。因此三方基於良好的信任，從長遠發展戰略上的考慮，決定共同攜手，在戰略、資本及業務三個層面開展全面合作。三方均以優秀的企業理念與專業性，本着“互惠互利、穩定恆久、高效優質”的合作精神，結成深度的戰略合作伙伴關係。
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