格隆匯11月6日丨耐威科技(300456.SZ)公佈，2019年11月6日，公司與青島西海岸新區管委簽署《合作框架協議》，雙方本着平等自願、互惠互利、共同促進和共同發展的原則，經友好協商，簽署該協議。

青島西海岸新區管委為青島西海岸新區的行政主管單位，青島西海岸新區(“新區”)是國務院批准的第9個國家級新區，處於山東半島藍色經濟區和環渤海經濟圈內，新區陸域面積約2128平方公里、海域面積約5000平方公里。新區處於京津冀和長三角兩大都市圈之間核心地帶，與日本、韓國隔海相望，具有貫通東西、連接南北的戰略優勢，是黃河流域主要出海通道和亞歐大陸橋東部重要端點，具有輻射內陸、聯通南北、面向太平洋的戰略區位優勢。

協議的主要內容(甲方：青島西海岸新區管委乙方：北京耐威科技股份有限公司）：

甲乙雙方根據國家有關法律法規及青島西海岸新區發展規劃，本着共同發展、互利共贏的原則，經友好協商，就乙方擬在新區投資建設氮化鎵(GaN)晶圓製造項目初步達成意向如下：

1、項目基本內容

項目擬建設一條6英寸氮化鎵微波器件生產線和一條8英寸氮化鎵功率器件生產線；項目總建築面積約20.40萬平米，其中廠房與辦公建築面積約18.00萬平米，宿舍面積約2.40萬平米。項目建成後，將有助於青島形成氮化鎵(GaN)基礎材料全產業鏈基地及產業集羣。

2、項目用地

項目選址于海洋高新區大珠山路以西、疏港高速以北，總佔地面積約240畝，甲方依法依規提供項目用地，一期供應東側約136畝土地用於建設，二期預留西側地塊約103畝。(具體以實際勘測為準)

3、項目資金

項目一期投資由乙方聯合有關產業投資基金共同出資不少於50%；其餘資金由甲方協調安排相關國有企業以土地廠房出資或直接投資方式解決，具體合作方式乙方與相關國有企業另行約定。

此次簽署的《合作框架協議》涉及對公司從事第三代半導體業務的子公司層面的投資，具體投資安排待定，預計不會對公司 2019年度經營業績產生影響；暫時無法預計對公司未來年度經營業績所產生的影響。

第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大於或等於2.3電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高温、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

截至目前，公司已於2018年7月在青島市嶗山區投資設立“青島聚能創芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發；已於2018年6月在青島市即墨區投資設立“聚能晶源(青島)半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發、生產，該公司投資建設的第三代半導體材料製造項目(一期)已於2019年9月達到投產條件，正式投產。

公司此次與青島西海岸新區管委簽署《合作框架協議》，擬在新區投資建設氮化鎵(GaN)晶圓製造項目，若項目順利建成，將有利於公司在第三代半導體領域的全產業鏈佈局，把握產業發展機遇，儘快拓展相關材料與器件在5G通信、物聯網、數據中心、新型電源等領域的推廣應用，有利於提高公司的綜合競爭實力，將對公司的長遠發展產生積極影響，符合公司發展戰略和全體股東的利益。