格隆匯6月30日丨中穎電子(300327.SZ)公佈，公司控股子公司芯穎科技申請的一項發明專利，經查詢，已獲得中華人民共和國國家知識產權局頒發的發明專利證書。發明名稱為RAM良率補救方法及裝置；專利號為ZL 2018 1 0127735.9；專利申請日為2018年2月8日；授權公吿日為2021年6月25日；專利權期限為20年，自申請日起算。

該發明實施例提供一種隨機存儲器(RAM)良率補救方法及裝置，屬於自動檢測領域。該方法首先通過對系統中多個RAM進行測試，以獲得出錯的目標RAM，然後將預先對出錯的所述目標RAM進行讀寫操作映射到沒有出錯的備份RAM的讀寫總線上，以對所述備份RAM進行讀寫操作，該方法對出錯的RAM進行良率補救的方式簡單，同時刪除因RAM測試及存儲RAM出錯位置而加入的較大規模的電路，簡化系統中的電路設計，降低了設計成本。

上述發明專利技術目前已應用於芯穎科技的產品，專利的取得不會對公司及芯穎科技目前的經營產生重大影響，有利於芯穎科技充分發揮主導產品的知識產權優勢，提升核心競爭力。