產業鏈限制再加碼，關注半導體材料國產化
近期美國對半導體產業鏈限制持續加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市佔率。中長期看，半導體材料需求持續增長，我們看好產業內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司。
美國對芯片產業鏈限制再加碼，涉及設計軟件及超寬禁帶半導體材料
根據聯邦公報，8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）發佈一項臨時最終規定，對4項「新興和基礎技術」實施最新出口管制，包括開發GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）結構的集成電路所必需的EDA/ECAD軟件、金剛石和氧化鎵兩類超寬禁帶半導體材料、生產開發燃氣渦輪發動機部件或系統的壓力增益燃燒（PGC）技術。其中，前三項均涉及半導體行業。GAAFET是批量生產3nm及以下半導體制程工藝的關鍵技術，而氧化鎵和金剛石是生產複雜微波、毫米波器件或高功率半導體器件的主要材料。此項臨時最終規定的發佈亦凸顯出半導體產業鏈各環節實現國產化的重要性。
《芯片與科學法案》8月9日簽署，旨在推動美國本土芯片製造
7月28日，美國參衆兩院正式通過《芯片與科學法案》，並由總統拜登於8月9日最終簽署成爲美國法律。根據澎湃新聞報道，該法案涉及總額爲2800億美元，其中527億美元將在未來五年內用於直接補貼建設和更新美國芯片廠，100億美元用於在全美創建20個區域技術中心，2000億美元用於促進半導體、人工智能、機器人、量子計算等關鍵技術研究，此外還爲在美建廠企業提供爲期四年25%的投資免稅抵扣，估計價值240億美元。該法案設有「護欄」，禁止獲得補貼的半導體公司在中國大陸、伊朗、朝鮮、俄羅斯大幅增產28nm以下先進製程芯片，限期10年。
後續限制範圍擴大風險猶存，凸顯半導體產業鏈國產化重要性
近期，據Korea JoongAng Daily報道，韓國政府宣佈參加「Ch ip 4」初步會議，「Chip 4」是美國計劃與中國臺灣、韓國、日本組建的芯片聯盟，以遏制中國大陸半導體產業的發展。據Bloomberg報道，美國向荷蘭和日本施壓，意圖阻止AMSL和尼康向中國大陸出售上一代採用DUV技術的光刻機，而兩年前ASML就已經因爲美國施壓而無法將最先進的EUV光刻機售往中國大陸。
短期看受益國產替代驅動力提升，中長期看材料需求持續增長
短期看，在自主可控邏輯下，半導體材料國產化訴求強烈，供應體系中的材料龍頭企業有望充分受益。在國產替代加速推進的過程中，一方面原有大廠供貨比例提升，另一方面新建晶圓廠有望搶佔baseline，快速提升市佔率。
中長期看，半導體材料作爲芯片製造的關鍵耗材，在原有晶圓廠保持產能負荷的同時，伴隨新建晶圓廠產能落地帶來的增量，總盤子不斷擴大。中國晶圓製造產能增速顯著高於全球水平，國內材料市場增速更快。同時，技術升級帶動材料的更迭及市場規模提升，更精密的先進製程、更高的堆疊層數、更多的工藝步驟等都將帶來材料的價值量提升與用量提升。
風險因素：
地緣政治與貿易摩擦加劇，晶圓廠產能建設進度不及預期，市場競爭加劇，產品研發及導入進度不及預期。
投資策略：
近期美國對半導體產業鏈限制持續加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市佔率。中長期維度看，半導體材料需求持續增長，我們看好產業內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司。
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